Samsung 990 EVO yakında geliyor: 4200 MB/s yazma hızı sunacak

Samsung yakında 990 EVO M.2 SSD’sini piyasaya sürecek. SSD’nin teknik özelliklerin yer aldığı resmi ürün sayfaları bazı bölgelerde yayınlandı ve sonra kaldırıldı. 990 EVO’nun en ilginç yanı PCIe 4.0 veya 5.0 modunda çalışabiliyor oluşu.

Samsung 990 EVO’nun yalnızca 1 TB ve 2 TB kapasiteli versiyonları olacak gibi görünüyor. DRAM’siz bir kontrolcüye sahip olduğu anlaşılan SSD’de, Samsung üretimi 133 katmanlı 3D TLC (V-NAND V6 Prime) NAND yongaları kullanılıyor. Yazma hızını arttırmak için ise sahte-SLC önbellek kullanılıyor. 990 EVO, 4 şeritli PCI-Express 4.0 bağlantısıyla, 5,000 MB/s okuma ve 4,200 MB/s yazma hızlarına ulaşabiliyor.

Samsung 990 EVO Özellikleri
Kapasite 1 TB 2 TB
Kontrolcü Samsung S4LY022 Piccolo
NAND Flash Samsung 7. Gen. V-NAND (133L 3D TLC)
Arayüz M.2-2280, PCIe 4.0 x4 / 5.0 x2, NVMe 2.0
Sıralı okuma 5000 MB/s? 5000 MB/s
Sıralı yazma 4200 MB/s? 4200 MB/s
Rastgele okuma IOPS 680K 700K
Rastgele yazma IOPS 800K? 800K
SLC ön bellek Evet
TCG Opal Şifreleme Evet
Garanti 5 yıl
Yazma ömrü 600 TBW
0.3 DWPD
1200 TBW
0.3 DWPD

Samsung ayrıca 970 EVO’ya kıyasla Watt başına 2 – 3 kat aktarım hızıyla, güç verimliliğinin önemli oranda arttırıldığını belirtiyor. SSD’de kullanılan Piccolo kontrolcünün 5nm üretim süreci ve V6 Prime yongasının verimlilik iyileştirmeleri bu açıdan önemli bir söz sahibi. 990 EVO’nun fiyatlandırması ve lansman tarihi ise ​​henüz belli değil.

Bir yanıt yazın

E-posta adresiniz yayınlanmayacak. Gerekli alanlar * ile işaretlenmişlerdir